新思科技与Socionext扩大合作,将5nm工艺HBM2E IP部署于AI和高性能计算SoC

发布时间:2021-01-13 16:34:03      来源:
加利福尼亚山景城和日本横滨2021年1月13日  /美通社/ -- 新思科技(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码:SNPS)和Socionext(索喜科技)今日宣布扩展双方合作,基于新思科技的DesignWare® IP组合,Socionext还将使用新思科技的HBM2E IP,以在人工智能和高性能计算(HPC))应用中实现最大的内存吞吐量。新思科技的HBM2E IP运行速度为3.6Gbps,能够满足Socionext创新AI引擎和加速器片上系统(SoC)对于容量、功耗和计算性能的严苛要求。新思科技的IP提供了高效的异构集成和最短的2.5D中介层封装连接。

Socionext汽车与工业业务集团副总裁Yutaka Hayashi表示:“作为SoC解决方案领域的全球领导者,我们所提供的产品具有差异化功能,因此也面临着非常紧迫的交付期限。利用新思科技的DesignWare HBM2E IP和集成的全系统多裸晶片设计平台,Socionext得以向市场提供世界级高性能、高容量和低能耗的5nm FinFET工艺SoC。我们还将与新思科技开展合作,部署其下一代DesignWare IP解决方案,如HBM3。”

DesignWare HBM2E PHY IP可提供每秒460 GB的聚合带宽,能够满足先进FinFET工艺SoC对海量计算性能的要求。HBM2E IP是新思科技全面内存接口IP解决方案的一部分,该解决方案包括DDR5/4/3/2和LPDDR5/4/4X/3/2 IP,已在数百个设计中得到验证,并有数百万颗SoC发货。

新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示:“作为领先的内存接口IP提供商,新思科技为Socionext等诸多创新公司提供极具竞争力的HBM2/2E IP解决方案,协助其应对高级高性能计算SoC对功耗和内存带宽的巨大需求。新思科技的硅验证DesignWare HBM2/2E IP核拥有超过25个投产设计和量产客户,设计者能够放心地将IP集成到他们的SoC中,并更快取得硅片的成功。”

可用资源

新思科技DesignWare HBM2/2E IP现可广泛用于从16纳米到5纳米的工艺中。更多信息,请访问DesignWare HBM2/2E IP核3DIC Compiler:适用于封装中端对端多裸晶芯片集成的统一平台网页。

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