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东莞DIODES驱动LED质量

2019-09-14 11:35:02|来自: 网络

  • 品牌:DIODES
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  • 所在地:深圳市龙华区东环
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肖特基 二极管原理

  肖特基二极管是(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。

  二极管是常用的电子元件之一,它大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路,主要都是由二极管来构成的,其原理都很简单,正是由于二极管等元件的发明,才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生,既然二极管的作用这么大那么我们应该如何去检测这个元件呢,其实很简单只要用万用表打到电阻档测量一下反向电阻如果很小就说明这个二极管是坏的,反向电阻如果很大这就说明这个二极管是好的。

  经整流桥之后的电阻上的电压波形为输出电压明显比交流电两端电压小,他们之间的关系针对分析一图来说是U=U,其中U是经整流桥堆后的输出电压,U是AC的输入电压分析二如果在负载上并联一个电容时,负载和电容上的电压变化一致为什么是这样的呢。因为电容具有充放电的作用,可以为负载提供电压。当整流堆中的二极管导通时电容开始充电,等交流电压过完峰值后低于的截止电压,电路就不通了,此时电容上的电压达到峰值并停止充电,电容与负载形成闭合回路,电容开始为负载提供电压以维持负载正常工作。

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  典型的肖特基整流管的内部 电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二 氧化硅(SiO2)来边缘区域的电场,管子的耐压值。N型基片具有很小的通态 电阻,其掺杂浓度较H-层要高倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。

  综上所述,肖特基整流管的结构原理与 PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工艺 制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省,大幅度降低成本,还了参数的一致性。

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  肖特基二极管应用

  SBD的结构及特点使其适合于在低压、大 电流输出用作高频整流,在非常高的下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL 集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速 计算机中被广泛采用。

  除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频 阻抗(指SBD施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。

    肖特基二极管作用

  肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、 变频器等中常见。

  一个典型的应用,是在双极型 晶体管%26nbsp;BJT 的 开关电路里面,通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位,使得 晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而晶体管的开关速度。这种方法是 LS,74ALS,74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

  肖特基(Schottky)二极管的大特点是正向压降 VF 小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点耐压低,漏电流稍大些。选用时要考虑。

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